MMBTA43LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 200V 0.05A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA43LT1G onsemi
Description: TRANS NPN 200V 0.05A SOT23-3, Power - Max: 225 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MMBTA43LT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
MMBTA43LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 200V NPN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MMBTA43LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 200V NPN
Bipolar Transistors - BJT 500mA 200V NPN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



