Технічний опис MMBTA55-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBTA55-7-F за ціною від 1.71 грн до 15.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBTA55-7-F | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBTA55-7-F | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTA55-7-F | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBTA55-7-F | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 39914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTA55-7-F | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V 300mW |
на замовлення 38722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTA55-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTA55-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTA55-7-F | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MMBTA55-7-F | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMBTA55-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6383+ | 2.21 грн |
| MMBTA55-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.68 грн |
| 6000+ | 2.30 грн |
| 9000+ | 2.16 грн |
| 15000+ | 1.88 грн |
| 21000+ | 1.79 грн |
| 30000+ | 1.71 грн |
| MMBTA55-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 623+ | 4.84 грн |
| MMBTA55-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 39914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.45 грн |
| 39+ | 7.85 грн |
| 100+ | 4.87 грн |
| 500+ | 3.33 грн |
| 1000+ | 2.93 грн |
| MMBTA55-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V 300mW
Bipolar Transistors - BJT 100V 300mW
на замовлення 38722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.85 грн |
| 36+ | 9.06 грн |
| 100+ | 4.71 грн |
| 500+ | 3.59 грн |
| 1000+ | 3.16 грн |
| 3000+ | 2.39 грн |
| MMBTA55-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - MMBTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 15.67 грн |
| 107+ | 7.68 грн |
| 187+ | 4.39 грн |
| 500+ | 2.83 грн |
| 1000+ | 2.35 грн |
| MMBTA55-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - MMBTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.67 грн |
| 107+ | 7.68 грн |
| 187+ | 4.39 грн |
| 500+ | 2.83 грн |
| 1000+ | 2.35 грн |
| MMBTA55-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MMBTA55-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.




