MMBTA55 YANGJIE TECHNOLOGY
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 125+ | 3.43 грн |
| 193+ | 2.07 грн |
| 209+ | 1.91 грн |
| 250+ | 1.61 грн |
| 500+ | 1.44 грн |
| 1000+ | 1.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA55 YANGJIE TECHNOLOGY
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 350 mW.
Інші пропозиції MMBTA55 за ціною від 1.53 грн до 5.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBTA55 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA55 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA55 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA55 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 642000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA55 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA55 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 483000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA55 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBTA55 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA55 - MMBTA55, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MMBTA55 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MMBTA55 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MMBTA55 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
товару немає в наявності |



