Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA55LT1G
MMBTA55LT1G

MMBTA55LT1G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA55LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBTA55LT1G за ціною від 1.19 грн до 23.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6494+1.87 грн
9000+1.80 грн
27000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 6494
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5377+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 5377
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.44 грн
9000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4855+2.51 грн
30000+2.30 грн
45000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4855
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4824+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 4824
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2768+4.40 грн
3283+3.71 грн
3948+3.08 грн
5245+2.24 грн
8109+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 2768
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
57+7.30 грн
97+3.98 грн
106+3.64 грн
120+3.19 грн
477+1.87 грн
1311+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.76 грн
58+4.95 грн
64+4.37 грн
100+3.83 грн
477+2.25 грн
1311+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+10.78 грн
83+7.35 грн
92+6.59 грн
140+4.18 грн
250+3.65 грн
500+2.95 грн
1000+2.45 грн
3000+1.85 грн
6000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
42+7.42 грн
100+4.54 грн
500+3.11 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V PNP
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.01 грн
47+7.26 грн
100+2.94 грн
1000+2.57 грн
3000+1.98 грн
9000+1.61 грн
24000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.16 грн
97+8.56 грн
210+3.93 грн
500+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA55-7-F MMBTA55LT1G MMBTA55 TMMBTA55
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G Виробник : ONS mmbta55lt1-d.pdf Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfemin=100@100mA,1V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.18 грн
14+20.45 грн
100+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.