Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA55LT1G
MMBTA55LT1G

MMBTA55LT1G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6945+1.84 грн
9000+1.74 грн
27000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 6945
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA55LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBTA55LT1G за ціною від 1.48 грн до 15.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16575+1.92 грн
100000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 16575
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6173+2.07 грн
6250+2.04 грн
9000+1.87 грн
15000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 6173
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.21 грн
6000+2.19 грн
9000+2.01 грн
15000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
9000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.62 грн
6000+2.25 грн
9000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4574+2.79 грн
5977+2.14 грн
6025+2.12 грн
6073+2.03 грн
6123+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 4574
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.93 грн
1500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+8.37 грн
147+4.99 грн
149+4.91 грн
234+3.01 грн
250+2.67 грн
500+1.96 грн
1000+1.95 грн
3000+1.93 грн
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.60 грн
55+7.54 грн
68+6.10 грн
100+4.26 грн
500+2.86 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.72 грн
33+9.40 грн
41+7.32 грн
100+5.11 грн
500+3.43 грн
1000+2.94 грн
1500+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 14492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.63 грн
43+7.79 грн
100+4.79 грн
500+3.27 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : onsemi MMBTA55LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V PNP
на замовлення 12408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.24 грн
44+8.42 грн
100+4.57 грн
500+3.39 грн
1000+2.91 грн
3000+2.60 грн
6000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+15.19 грн
96+9.27 грн
154+5.75 грн
500+3.93 грн
1500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G Виробник : ON-Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA55-7-F MMBTA55LT1G MMBTA55 TMMBTA55
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.