MMBTA55LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.25 грн |
9000+ | 1.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA55LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBTA55LT1G за ціною від 1.23 грн до 22.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTA55LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 11034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V PNP |
на замовлення 11836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA55-7-F MMBTA55LT1G MMBTA55 TMMBTA55 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 300422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ONS | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfemin=100@100mA,1V |
на замовлення 2697 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
MMBTA55LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |