Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA55LT1G
MMBTA55LT1G

MMBTA55LT1G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16575+2.14 грн
100000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 16575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA55LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBTA55LT1G за ціною від 1.07 грн до 13.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16575+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 16575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.33 грн
6000+2.00 грн
9000+1.88 грн
15000+1.63 грн
21000+1.55 грн
30000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.38 грн
9000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5618+2.52 грн
9000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 5618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4919+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 4919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.32 грн
6000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
6000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+7.82 грн
163+4.65 грн
173+4.38 грн
260+2.81 грн
263+2.57 грн
500+1.85 грн
1000+1.60 грн
3000+1.10 грн
6000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 54835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
44+6.96 грн
100+4.27 грн
500+2.92 грн
1000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.05 грн
107+7.54 грн
157+5.15 грн
500+3.50 грн
1500+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.05 грн
107+7.54 грн
157+5.15 грн
500+3.50 грн
1500+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V PNP
на замовлення 9262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.13 грн
40+7.94 грн
100+4.28 грн
500+3.11 грн
1000+2.69 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G ON-Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA55-7-F MMBTA55LT1G MMBTA55 TMMBTA55
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16575+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 16575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.33 грн
6000+2.00 грн
9000+1.88 грн
15000+1.63 грн
21000+1.55 грн
30000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G 2353823.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.38 грн
9000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5618+2.52 грн
9000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 5618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4919+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 4919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4274+3.32 грн
6000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.33 грн
6000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
97+7.82 грн
163+4.65 грн
173+4.38 грн
260+2.81 грн
263+2.57 грн
500+1.85 грн
1000+1.60 грн
3000+1.10 грн
6000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 54835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.65 грн
44+6.96 грн
100+4.27 грн
500+2.92 грн
1000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G 2353823.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
62+13.05 грн
107+7.54 грн
157+5.15 грн
500+3.50 грн
1500+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G 2353823.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.05 грн
107+7.54 грн
157+5.15 грн
500+3.50 грн
1500+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V PNP
на замовлення 9262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+13.13 грн
40+7.94 грн
100+4.28 грн
500+3.11 грн
1000+2.69 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA55-7-F MMBTA55LT1G MMBTA55 TMMBTA55
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.