Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA55LT1G
MMBTA55LT1G

MMBTA55LT1G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6098+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 6098
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA55LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBTA55LT1G за ціною від 1.36 грн до 15.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5377+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 5377
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4984+2.43 грн
9000+2.23 грн
27000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 4984
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4855+2.50 грн
30000+2.29 грн
45000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 4855
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4824+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 4824
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9494+2.55 грн
10601+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 9494
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4311+2.81 грн
6000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 4311
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.95 грн
6000+2.72 грн
9000+2.51 грн
15000+2.29 грн
21000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.01 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.06 грн
9000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.68 грн
1500+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2436+4.97 грн
3062+3.96 грн
3948+3.07 грн
4919+2.37 грн
7937+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 2436
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.09 грн
42+7.64 грн
100+4.68 грн
500+3.20 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : onsemi MMBTA55LT1_D-1811907.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V PNP
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.67 грн
43+8.26 грн
100+4.39 грн
500+3.25 грн
1000+2.87 грн
3000+2.12 грн
6000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+14.57 грн
79+8.84 грн
87+7.96 грн
124+5.42 грн
250+4.76 грн
500+3.63 грн
1000+2.82 грн
3000+2.68 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.59 грн
101+8.41 грн
162+5.25 грн
500+3.68 грн
1500+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA55-7-F MMBTA55LT1G MMBTA55 TMMBTA55
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf MMBTA55LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.44 грн
477+2.33 грн
1311+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.