Технічний опис MMBTA56LT1 MOTOROLA
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції MMBTA56LT1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MMBTA56LT1 | Виробник : ON |
 07+ SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
MMBTA56LT1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
MMBTA56LT1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
товару немає в наявності |
|
 |
MMBTA56LT1 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP |
товару немає в наявності |
|
|
|
MMBTA 56 LT1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A |
товару немає в наявності |