 
MMBTA56LT1G ON Semiconductor
на замовлення 1353000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 12821+ | 0.97 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA56LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції MMBTA56LT1G за ціною від 1.01 грн до 14.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10650 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1353000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 104400 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 56000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 396000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 69121 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 29832 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz | на замовлення 1485 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G Код товару: 177590 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |   | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1485 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 104499 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP | на замовлення 147856 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 29832 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 69121 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |  PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2500 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 |