Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA56LT1G
MMBTA56LT1G

MMBTA56LT1G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12821+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 12821
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA56LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBTA56LT1G за ціною від 0.91 грн до 14.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.55 грн
6000+1.49 грн
9000+1.42 грн
15000+1.32 грн
21000+1.10 грн
30000+1.05 грн
150000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7178+1.78 грн
9000+1.72 грн
27000+1.67 грн
51000+1.57 грн
102000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 7178
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.25 грн
6000+1.92 грн
9000+1.80 грн
15000+1.56 грн
21000+1.49 грн
30000+1.41 грн
75000+1.23 грн
150000+1.13 грн
300000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 65690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.36 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9037+3.53 грн
10136+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 9037
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9037+3.53 грн
10136+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 9037
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2794+4.57 грн
3788+3.37 грн
4386+2.91 грн
7576+1.62 грн
7654+1.49 грн
15000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 2794
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.07 грн
87+4.76 грн
139+2.97 грн
169+2.43 грн
250+1.91 грн
500+1.65 грн
1000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G
Код товару: 177590
Додати до обраних Обраний товар

mmbta55lt1-d.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.48 грн
52+5.93 грн
83+3.56 грн
102+2.91 грн
250+2.29 грн
500+1.98 грн
1000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 388278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.92 грн
49+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : onsemi MMBTA55LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 157707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.67 грн
49+7.51 грн
100+3.94 грн
500+2.83 грн
1000+2.52 грн
3000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+12.98 грн
90+8.10 грн
146+4.82 грн
250+4.37 грн
500+3.09 грн
1000+2.67 грн
3000+1.55 грн
6000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 65690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+13.78 грн
106+8.37 грн
177+5.00 грн
500+3.36 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+14.53 грн
84+8.72 грн
142+5.16 грн
500+3.62 грн
1000+2.88 грн
3000+1.80 грн
6000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta55lt1-d.pdf PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.