MMBTA56LT1G

MMBTA56LT1G ON Semiconductor


mmbta55lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA56LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBTA56LT1G за ціною від 0.85 грн до 12.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2700000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.51 грн
6000+1.31 грн
9000+1.19 грн
15000+1.14 грн
21000+1.00 грн
30000+0.95 грн
75000+0.94 грн
150000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2700000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7937+1.53 грн
11364+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 7937
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6667+1.83 грн
9000+1.65 грн
27000+1.59 грн
51000+1.49 грн
102000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 6667
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.87 грн
9000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.15 грн
6000+1.84 грн
9000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.77 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4286+2.84 грн
4336+2.81 грн
5227+2.33 грн
5883+2.00 грн
6727+1.62 грн
15000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 4286
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : onsemi MMBTA55LT1_D-2316071.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 136117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.65 грн
52+6.51 грн
115+2.54 грн
1000+2.10 грн
3000+1.67 грн
9000+1.38 грн
24000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+9.77 грн
73+5.22 грн
111+3.42 грн
133+2.85 грн
500+1.92 грн
575+1.53 грн
1500+1.50 грн
1580+1.46 грн
2500+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+10.79 грн
98+6.18 грн
105+5.76 грн
227+2.56 грн
250+2.35 грн
500+2.23 грн
1000+1.85 грн
3000+1.67 грн
6000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G
Код товару: 177590
Додати до обраних Обраний товар

mmbta55lt1-d.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 13436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.99 грн
48+6.43 грн
100+3.96 грн
500+2.70 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+11.72 грн
44+6.50 грн
67+4.10 грн
100+3.42 грн
500+2.30 грн
575+1.84 грн
1500+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+12.94 грн
104+7.84 грн
235+3.47 грн
500+2.77 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta55lt1-d.pdf PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.