Продукція > MMBTA56LT1G

MMBTA56LT1G

mmbta55lt1-d.pdf
Код товару: 177590
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBTA56LT1G за ціною від 1.34 грн до 15.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.35 грн
6000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9037+4.10 грн
10136+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 9037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9037+4.10 грн
10136+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 9037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.03 грн
44+7.03 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 80895 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
25+12.95 грн
40+7.78 грн
100+4.18 грн
500+3.04 грн
1000+2.66 грн
3000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 31906 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
31+15.17 грн
48+9.04 грн
78+5.54 грн
100+4.48 грн
250+3.43 грн
500+2.86 грн
692+1.42 грн
1901+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 45098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 45098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013298818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.35 грн
6000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9037+4.10 грн
10136+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 9037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9037+4.10 грн
10136+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 9037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+12.03 грн
44+7.03 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 80895 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.95 грн
40+7.78 грн
100+4.18 грн
500+3.04 грн
1000+2.66 грн
3000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA55_56.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 31906 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+15.17 грн
48+9.04 грн
78+5.54 грн
100+4.48 грн
250+3.43 грн
500+2.86 грн
692+1.42 грн
1901+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 45098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 45098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G ONSM-S-A0013298818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTA56LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.