MMBTA56LT1G
Код товару: 177590
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMBTA56LT1G за ціною від 1.77 грн до 15.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 50614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 55610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 50614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA56LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 189520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 190842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA56LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP |
на замовлення 80346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | Виробник : On Semiconductor |
PNP, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
 |
MMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
товару немає в наявності |