Продукція > MMB > MMBTA56LT1G

MMBTA56LT1G

mmbta55lt1-d.pdf
Код товару: 177590
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBTA56LT1G за ціною від 1.70 грн до 15.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 189520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.05 грн
6000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6098+2.32 грн
9000+2.22 грн
27000+2.09 грн
51000+1.96 грн
102000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 6098 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.64 грн
6000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5358+2.64 грн
6494+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 5358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.19 грн
1500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+3.43 грн
4311+3.28 грн
4532+3.12 грн
4762+2.86 грн
6000+2.52 грн
15000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 4121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9037+3.91 грн
10136+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 9037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 43610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9037+3.91 грн
10136+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 9037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+9.35 грн
134+5.67 грн
135+5.61 грн
219+3.33 грн
250+3.06 грн
500+2.81 грн
1000+2.68 грн
3000+2.55 грн
6000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 32706 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
62+6.72 грн
97+4.29 грн
118+3.52 грн
250+2.76 грн
500+2.35 грн
1000+2.04 грн
1500+1.90 грн
3000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 190842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
46+6.57 грн
100+4.01 грн
500+2.73 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 60411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.73 грн
45+7.05 грн
100+3.79 грн
500+2.76 грн
1000+2.41 грн
3000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+12.78 грн
104+7.75 грн
171+4.72 грн
500+3.19 грн
1500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.13 грн
84+9.07 грн
138+5.50 грн
500+3.81 грн
1000+2.90 грн
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G ON-Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 189520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.05 грн
6000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6098+2.32 грн
9000+2.22 грн
27000+2.09 грн
51000+1.96 грн
102000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 6098 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.64 грн
6000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5358+2.64 грн
6494+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 5358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+3.19 грн
1500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4121+3.43 грн
4311+3.28 грн
4532+3.12 грн
4762+2.86 грн
6000+2.52 грн
15000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 4121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9037+3.91 грн
10136+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 9037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 43610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9037+3.91 грн
10136+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 9037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
81+9.35 грн
134+5.67 грн
135+5.61 грн
219+3.33 грн
250+3.06 грн
500+2.81 грн
1000+2.68 грн
3000+2.55 грн
6000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA55_56.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 32706 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
46+9.82 грн
62+6.72 грн
97+4.29 грн
118+3.52 грн
250+2.76 грн
500+2.35 грн
1000+2.04 грн
1500+1.90 грн
3000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 190842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+10.85 грн
46+6.57 грн
100+4.01 грн
500+2.73 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 60411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
28+11.73 грн
45+7.05 грн
100+3.79 грн
500+2.76 грн
1000+2.41 грн
3000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
63+12.78 грн
104+7.75 грн
171+4.72 грн
500+3.19 грн
1500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+15.13 грн
84+9.07 грн
138+5.50 грн
500+3.81 грн
1000+2.90 грн
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
400+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.