Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA56LT3G
MMBTA56LT3G

MMBTA56LT3G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4710000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA56LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBTA56LT3G за ціною від 1.30 грн до 14.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4710000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10490+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 10490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8824+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 8824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.87 грн
30000+1.83 грн
50000+1.80 грн
100000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.22 грн
250+5.01 грн
1000+2.82 грн
5000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+9.36 грн
135+5.61 грн
217+3.49 грн
500+2.42 грн
1000+1.70 грн
2000+1.61 грн
5000+1.43 грн
10000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+9.43 грн
134+5.66 грн
216+3.52 грн
500+2.44 грн
1000+1.71 грн
2000+1.63 грн
5000+1.44 грн
10000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.63 грн
56+7.48 грн
80+5.20 грн
100+4.43 грн
500+3.06 грн
1000+2.61 грн
2500+2.13 грн
5000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 5806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
44+6.88 грн
100+4.26 грн
500+2.91 грн
1000+2.56 грн
2000+2.26 грн
5000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+14.18 грн
99+8.22 грн
250+5.01 грн
1000+2.82 грн
5000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.58 грн
39+8.34 грн
100+4.35 грн
500+3.52 грн
1000+3.04 грн
2500+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4710000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10490+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 10490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8824+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 8824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+1.87 грн
30000+1.83 грн
50000+1.80 грн
100000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G 2353823.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.22 грн
250+5.01 грн
1000+2.82 грн
5000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
81+9.36 грн
135+5.61 грн
217+3.49 грн
500+2.42 грн
1000+1.70 грн
2000+1.61 грн
5000+1.43 грн
10000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
81+9.43 грн
134+5.66 грн
216+3.52 грн
500+2.44 грн
1000+1.71 грн
2000+1.63 грн
5000+1.44 грн
10000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
39+11.63 грн
56+7.48 грн
80+5.20 грн
100+4.43 грн
500+3.06 грн
1000+2.61 грн
2500+2.13 грн
5000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 5806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.65 грн
44+6.88 грн
100+4.26 грн
500+2.91 грн
1000+2.56 грн
2000+2.26 грн
5000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G 2353823.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
57+14.18 грн
99+8.22 грн
250+5.01 грн
1000+2.82 грн
5000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.58 грн
39+8.34 грн
100+4.35 грн
500+3.52 грн
1000+3.04 грн
2500+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.