Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA56LT3G
MMBTA56LT3G

MMBTA56LT3G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12821+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 12821
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA56LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBTA56LT3G за ціною від 1.06 грн до 14.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.68 грн
30000+1.62 грн
50000+1.60 грн
100000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.16 грн
20000+1.88 грн
30000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2880+4.42 грн
3760+3.39 грн
4886+2.61 грн
4967+2.47 грн
5906+1.92 грн
10000+1.28 грн
20000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 2880
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.86 грн
1000+2.55 грн
5000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.82 грн
59+7.20 грн
108+3.90 грн
500+2.58 грн
1000+2.22 грн
2500+1.86 грн
5000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+12.98 грн
92+7.95 грн
154+4.74 грн
500+3.50 грн
1000+2.49 грн
2000+2.35 грн
5000+1.98 грн
10000+1.37 грн
20000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.99 грн
35+8.98 грн
100+4.67 грн
500+3.10 грн
1000+2.66 грн
2500+2.23 грн
5000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+13.19 грн
90+8.08 грн
152+4.81 грн
500+3.55 грн
1000+2.52 грн
2000+2.39 грн
5000+2.01 грн
10000+1.40 грн
20000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+13.35 грн
111+8.15 грн
250+4.86 грн
1000+2.55 грн
5000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 36600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.92 грн
44+7.79 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.89 грн
2000+2.55 грн
5000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G Виробник : onsemi MMBTA55LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 44739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.54 грн
44+8.60 грн
100+4.66 грн
500+3.38 грн
1000+2.65 грн
5000+2.25 грн
10000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.