MMBTA56Q-7-F Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.30 грн |
| 6000+ | 1.97 грн |
| 9000+ | 1.85 грн |
| 15000+ | 1.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA56Q-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MMBTA56Q-7-F за ціною від 1.17 грн до 13.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTA56Q-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA56Q-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 350 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA56Q-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W |
на замовлення 15115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA56Q-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA56Q-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MMBTA56Q-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 310mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry Quantity in set/package: 3000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 310mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry Quantity in set/package: 3000pcs. |
товару немає в наявності |