MMBTA56Q-7-F

MMBTA56Q-7-F Diodes Zetex


115229414417412ds30054.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 321000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9555+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 9555
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA56Q-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBTA56Q-7-F за ціною від 1.09 грн до 13.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA56Q-7-F MMBTA56Q-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTA55Q_MMBTA56Q.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.33 грн
6000+2.00 грн
9000+1.88 грн
15000+1.63 грн
21000+1.55 грн
30000+1.47 грн
75000+1.28 грн
150000+1.18 грн
300000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56Q-7-F MMBTA56Q-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002832724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.14 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56Q-7-F MMBTA56Q-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTA55Q_MMBTA56Q.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 327252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.62 грн
46+6.95 грн
100+4.29 грн
500+2.93 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56Q-7-F MMBTA56Q-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTA55Q_MMBTA56Q.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W
на замовлення 11042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.35 грн
46+7.77 грн
100+4.14 грн
500+2.69 грн
1000+2.38 грн
3000+2.07 грн
6000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56Q-7-F MMBTA56Q-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002832724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.17 грн
103+8.41 грн
166+5.19 грн
500+3.14 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56Q-7-F MMBTA56Q-7-F Виробник : Diodes Inc 115229414417412ds30054.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56Q-7-F MMBTA56Q-7-F Виробник : Diodes Zetex 115229414417412ds30054.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.