Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA56WT1G
MMBTA56WT1G

MMBTA56WT1G ON Semiconductor

mmbta56wt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5435+2.24 грн
9000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 5435
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA56WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBTA56WT1G за ціною від 1.26 грн до 14.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : onsemi mmbta56wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.46 грн
6000+2.11 грн
9000+1.98 грн
15000+1.72 грн
21000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta56wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4793+2.55 грн
18000+2.33 грн
27000+2.16 грн
36000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 4793
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta56wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 34041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4644+2.63 грн
5748+2.12 грн
7576+1.61 грн
7654+1.54 грн
7732+1.41 грн
15000+1.35 грн
30000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 4644
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.15 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta56wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 34041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+7.67 грн
140+4.33 грн
148+4.09 грн
247+2.37 грн
250+2.18 грн
500+1.69 грн
1000+1.28 грн
3000+1.27 грн
6000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta56wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 407200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1593+8.02 грн
2455+4.97 грн
9000+4.95 грн
18000+3.49 грн
72000+2.59 грн
144000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 1593
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : ONSEMI mmbta56wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+10.73 грн
54+7.20 грн
68+5.67 грн
175+2.20 грн
483+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : onsemi MMBTA56WT1_D-2316203.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 14255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.42 грн
47+7.28 грн
103+2.87 грн
1000+2.50 грн
3000+1.91 грн
9000+1.62 грн
24000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : onsemi mmbta56wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 25666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.73 грн
43+7.28 грн
100+4.51 грн
500+3.08 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : ONSEMI mmbta56wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+12.87 грн
32+8.98 грн
41+6.81 грн
105+2.64 грн
483+2.23 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.19 грн
100+8.25 грн
214+3.86 грн
500+3.15 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta56wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta56wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.