MMBTA56WT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.33 грн |
| 6000+ | 2.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA56WT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBTA56WT1G за ціною від 2.15 грн до 16.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTA56WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBTA56WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBTA56WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBTA56WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBTA56WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 405780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBTA56WT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
на замовлення 545 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBTA56WT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 11800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBTA56WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 405780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBTA56WT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
MMBTA56WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MMBTA56WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24000+ | 3.00 грн |
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24000+ | 3.01 грн |
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.09 грн |
| 6000+ | 2.64 грн |
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4574+ | 3.09 грн |
| 6000+ | 2.64 грн |
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 405780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2330+ | 6.06 грн |
| 3254+ | 4.34 грн |
| 3713+ | 3.80 грн |
| 4824+ | 2.82 грн |
| 6000+ | 2.23 грн |
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 11.58 грн |
| 49+ | 8.60 грн |
| 57+ | 7.36 грн |
| 101+ | 4.11 грн |
| 500+ | 2.90 грн |
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.37 грн |
| 41+ | 7.37 грн |
| 100+ | 4.53 грн |
| 500+ | 3.09 грн |
| 1000+ | 2.71 грн |
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 405780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 16.29 грн |
| 93+ | 8.14 грн |
| 125+ | 6.06 грн |
| 500+ | 4.18 грн |
| 1000+ | 3.39 грн |
| 3000+ | 2.51 грн |
| 6000+ | 2.15 грн |
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBTA56WT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)