MMBTA56WT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.47 грн |
| 6000+ | 2.12 грн |
| 9000+ | 1.98 грн |
| 15000+ | 1.72 грн |
| 21000+ | 1.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA56WT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBTA56WT1G за ціною від 1.34 грн до 13.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBTA56WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 34041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA56WT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA56WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 405790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA56WT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA56WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 34041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA56WT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 551 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA56WT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 23513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56WT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP |
на замовлення 5914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA56WT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA56WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
MMBTA56WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA56WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |


