MMBTA64LT1G ON Semiconductor


mmbta63lt1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4919+2.97 грн
9000+2.83 грн
27000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 4919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4919 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA64LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 225mW, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 500mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBTA64LT1G за ціною від 2.75 грн до 16.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G onsemi mmbta63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.31 грн
39+7.84 грн
100+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G onsemi mmbta63lt1-d.pdf Darlington Transistors 500mA 30V PNP
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
20+16.37 грн
33+9.48 грн
100+5.05 грн
500+3.64 грн
1000+3.19 грн
3000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G ONSEMI mmbta63lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G ONSEMI mmbta63lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA64LT1G mmbta63lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.31 грн
39+7.84 грн
100+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA64LT1G mmbta63lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 500mA 30V PNP
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.37 грн
33+9.48 грн
100+5.05 грн
500+3.64 грн
1000+3.19 грн
3000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA64LT1G mmbta63lt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA64LT1G mmbta63lt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.