MMBTA64LT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4505+ | 3.14 грн |
| 9000+ | 2.92 грн |
| 27000+ | 2.79 грн |
| 51000+ | 2.60 грн |
| 102000+ | 2.34 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4505 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA64LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 225mW, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 500mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBTA64LT1G за ціною від 4.54 грн до 12.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBTA64LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
MMBTA64LT1G | onsemi |
Darlington Transistors 500mA 30V PNP |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MMBTA64LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MMBTA64LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 225mW Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBTA64LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 41+ | 7.40 грн |
| 100+ | 4.54 грн |
| MMBTA64LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 500mA 30V PNP
Darlington Transistors 500mA 30V PNP
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBTA64LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBTA64LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






