Продукція > ONSEMI > MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G onsemi


MMBTH10LT1-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 240431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
47+7.01 грн
91+3.53 грн
112+2.51 грн
500+2.44 грн
1000+2.37 грн
3000+1.96 грн
24000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH10-4LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 999A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 800MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBTH10-4LT1G за ціною від 2.27 грн до 9.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+9.45 грн
157+4.82 грн
158+4.80 грн
160+4.58 грн
206+3.29 грн
250+3.00 грн
500+2.92 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G mmbth10lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
80+9.45 грн
157+4.82 грн
158+4.80 грн
160+4.58 грн
206+3.29 грн
250+3.00 грн
500+2.92 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G mmbth10lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G mmbth10lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.