Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTH10-4LT1G
MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor

mmbth10lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4066+3.00 грн
9000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 4066
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 999A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 800MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MMBTH10-4LT1G за ціною від 1.75 грн до 20.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.07 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3379+3.61 грн
3417+3.57 грн
3449+3.54 грн
3732+3.15 грн
5377+2.03 грн
6000+1.89 грн
15000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3379
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.68 грн
6000+3.15 грн
9000+2.95 грн
15000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+7.10 грн
154+5.36 грн
233+3.55 грн
500+3.07 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+15.76 грн
87+6.95 грн
92+6.63 грн
181+3.23 грн
250+2.96 грн
500+2.82 грн
1000+2.60 грн
3000+1.81 грн
6000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Виробник : onsemi MMBTH10LT1_D-1811631.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 270252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.94 грн
46+7.36 грн
100+3.60 грн
1000+3.02 грн
3000+2.21 грн
9000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 19652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
27+11.42 грн
34+9.29 грн
100+6.44 грн
250+5.32 грн
500+4.63 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.