Продукція > DIODES INCORPORATED > MMBTH10-7-F
MMBTH10-7-F

MMBTH10-7-F Diodes Incorporated

ds31031.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.34 грн
6000+2.17 грн
9000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH10-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBTH10-7-F за ціною від 2.23 грн до 18.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Incorporated ds31031.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 13775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.33 грн
75+4.11 грн
86+3.57 грн
102+2.82 грн
250+2.56 грн
500+2.40 грн
1000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F DIODES INC. DIODS10603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.84 грн
210+3.92 грн
291+2.82 грн
500+2.54 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F DIODES INC. DIODS10603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.84 грн
210+3.92 грн
291+2.82 грн
500+2.54 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Incorporated ds31031.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW
на замовлення 6789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.38 грн
32+10.19 грн
100+4.99 грн
500+4.29 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 13775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.33 грн
75+4.11 грн
86+3.57 грн
102+2.82 грн
250+2.56 грн
500+2.40 грн
1000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-7-F DIODS10603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTH10-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.84 грн
210+3.92 грн
291+2.82 грн
500+2.54 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-7-F DIODS10603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTH10-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.84 грн
210+3.92 грн
291+2.82 грн
500+2.54 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW
на замовлення 6789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.38 грн
32+10.19 грн
100+4.99 грн
500+4.29 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.