 
на замовлення 461364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 7773+ | 1.59 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTH10 ON Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Frequency - Transition: 650MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3. 
Інші пропозиції MMBTH10 за ціною від 1.71 грн до 3.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MMBTH10 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 461364 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||
|   | MMBTH10 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||
|   | MMBTH10 | Виробник : Fairchild Semiconductor |  Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||
|   | MMBTH10 | Виробник : onsemi |  Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 | на замовлення 87000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||
|   | MMBTH10 | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBTH10 - TRANSISTOR, RF, NPN, 25V, 650MHZ, SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||
|   | MMBTH10 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | |||||||
|   | MMBTH10 | Виробник : onsemi |  Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 | товару немає в наявності | |||||||
|   | MMBTH10 | Виробник : onsemi / Fairchild |  RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor | товару немає в наявності | |||||||
|   | MMBTH10 | Виробник : Diodes Incorporated |  Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності |