Продукція > DIODES ZETEX > MMBTH10Q-7-F
MMBTH10Q-7-F

MMBTH10Q-7-F Diodes Zetex

mmbth10q.pdf Виробник: Diodes Zetex
NPN Surface Mount VHF/UHF Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH10Q-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBTH10Q-7-F за ціною від 5.34 грн до 39.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTH10Q.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.55 грн
6000+7.50 грн
9000+7.12 грн
15000+6.28 грн
21000+6.05 грн
30000+5.82 грн
75000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009189330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.21 грн
500+18.48 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTH10Q.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTH10Q.pdf Bipolar Transistors - BJT RF Transistor
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.52 грн
12+30.60 грн
100+21.75 грн
500+15.92 грн
1000+14.17 грн
3000+7.81 грн
6000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009189330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.11 грн
26+33.25 грн
100+27.21 грн
500+18.48 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F Виробник : Diodes Inc mmbth10q.pdf RF Transistor SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED MMBTH10Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Collector current: 50mA
Current gain: 60
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 650MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED MMBTH10Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Collector current: 50mA
Current gain: 60
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 650MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.