MMBTH10Q-7-F

MMBTH10Q-7-F DIODES INC.


DIOD-S-A0009189330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.08 грн
500+26.42 грн
1000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH10Q-7-F DIODES INC.

Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBTH10Q-7-F за ціною від 7.32 грн до 37.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTH10Q.pdf Bipolar Transistors - BJT RF Transistor
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.57 грн
100+28.12 грн
500+22.02 грн
1000+16.30 грн
3000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009189330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.23 грн
26+31.70 грн
100+30.08 грн
500+26.42 грн
1000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.