MMBTH10Q-7-F Diodes Incorporated

Description: RF TRANSISTOR SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 9.27 грн |
6000+ | 8.13 грн |
9000+ | 7.72 грн |
15000+ | 6.81 грн |
21000+ | 6.56 грн |
30000+ | 6.31 грн |
75000+ | 5.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTH10Q-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBTH10Q-7-F за ціною від 6.25 грн до 44.90 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBTH10Q-7-F | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTH10Q-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 310mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MMBTH10Q-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 3008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MMBTH10Q-7-F | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |