MMBTH10Q-7-F Diodes Zetex
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTH10Q-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBTH10Q-7-F за ціною від 5.40 грн до 39.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTH10Q-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 310mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTH10Q-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTH10Q-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 310mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTH10Q-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT RF Transistor |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTH10Q-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBTH10Q-7-F | Виробник : Diodes Inc |
RF Transistor SOT23 T&R 3K |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| MMBTH10Q-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz Application: automotive industry Current gain: 60 Quantity in set/package: 3000pcs. Collector current: 50mA |
товару немає в наявності |