Продукція > DIODES INCORPORATED > MMBTH10Q-7-F
MMBTH10Q-7-F

MMBTH10Q-7-F Diodes Incorporated

MMBTH10Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.14 грн
6000+7.13 грн
9000+6.77 грн
15000+5.98 грн
21000+5.76 грн
30000+5.54 грн
75000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH10Q-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBTH10Q-7-F за ціною від 6.48 грн до 36.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbth10q.pdf NPN Surface Mount VHF/UHF Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009189330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.72 грн
500+17.47 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTH10Q.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTH10Q.pdf Bipolar Transistors - BJT RF Transistor
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.20 грн
12+27.81 грн
100+19.77 грн
500+14.47 грн
1000+12.88 грн
3000+7.10 грн
6000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009189330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+36.97 грн
26+31.43 грн
100+25.72 грн
500+17.47 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10Q-7-F Виробник : Diodes Inc mmbth10q.pdf RF Transistor SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.