MMBTH24-7-F Diodes Incorporated


MMBTH24.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH24-7-F Diodes Incorporated

Description: RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3, Frequency - Transition: 400MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 300mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MMBTH24-7-F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTH24-7-F MMBTH24-7-F Diodes Incorporated MMBTH24.pdf Description: RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH24-7-F MMBTH24-7-F Diodes Incorporated ds31034-3214763.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH24-7-F MMBTH24.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH24-7-F ds31034-3214763.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.