MMBTRA226S DIOTEC SEMICONDUCTOR


mmbtra221s.pdf Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMBTRA226S-DIO PNP SMD transistors
на замовлення 2749 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
79+3.45 грн
500+ 1.95 грн
1380+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 79
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTRA226S DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIGITAL TR SOT-23 50V 800MA, Packaging: Strip, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції MMBTRA226S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBTRA226S MMBTRA226S Виробник : Diotec Semiconductor mmbtra221s.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 800mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTRA226S MMBTRA226S Виробник : Diotec Semiconductor mmbtra221s.pdf Description: DIGITAL TR SOT-23 50V 800MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
MMBTRA226S MMBTRA226S Виробник : Diotec Semiconductor mmbtra221s.pdf Description: DIGITAL TR SOT-23 50V 800MA
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній