Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBZ12VALT1G
MMBZ12VALT1G

MMBZ12VALT1G ON Semiconductor

mmbz5v6alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 12Vbr 17Vc 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBZ12VALT1G ON Semiconductor

Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Configuration: 1 Pair Common Anode, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 11.4V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V.

Інші пропозиції MMBZ12VALT1G за ціною від 1.15 грн до 16.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 727494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.35 грн
100000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4688+2.66 грн
9000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 4688
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3857+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3857
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.36 грн
6000+1.82 грн
9000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.43 грн
3000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1682+7.41 грн
3261+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 1682
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
на замовлення 20987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.82 грн
45+7.13 грн
100+3.53 грн
500+3.21 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEDED6F98B88AA14&compId=MMBZ_ser.PDF?ci_sign=1f35ddf42140d92ef46c86e862bfcafdd39158da Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Version: ESD
Type of diode: TVS array
Application: universal
Leakage current: 0.2µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 2.35A
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 12V
Peak pulse power dissipation: 40W
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.94 грн
40+10.25 грн
46+8.89 грн
100+4.91 грн
500+3.20 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : onsemi 2AE8F4D35C42A14D18C8D5ACB440F0D6B0F05E1465EEC849EDAD7A613FEC07B9.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.43 грн
38+9.46 грн
100+5.08 грн
500+4.00 грн
1000+3.15 грн
3000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEDED6F98B88AA14&compId=MMBZ_ser.PDF?ci_sign=1f35ddf42140d92ef46c86e862bfcafdd39158da Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Version: ESD
Type of diode: TVS array
Application: universal
Leakage current: 0.2µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 2.35A
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 12V
Peak pulse power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.53 грн
24+12.78 грн
28+10.67 грн
100+5.89 грн
500+3.85 грн
1000+3.24 грн
2000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+16.57 грн
85+10.27 грн
136+6.36 грн
500+4.37 грн
1000+3.19 грн
5000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbz5v6alt1-d.pdf 12V; 40W; 12V; 40W; MMBZ12VALT1G SOT-23 DTMMBZ12VALT1G
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.