
MMBZ16VALT1G ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ16VALT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBZ16VALT1G - Zener-Diodenarray, 16 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 225 mW, 150 °C, SOT-23, 3 Pins, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Zener-Spannung, nom.: 16V.
Інші пропозиції MMBZ16VALT1G за ціною від 1.81 грн до 18.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBZ16VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 13 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ16VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 13 V |
на замовлення 15584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ16VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 9506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ16VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 16V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ16VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 16V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MMBZ16VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |