MMBZ18CA

MMBZ18CA Diotec Semiconductor


mmbz5v6ca.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 14.5V 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBZ18CA Diotec Semiconductor

Description: IC, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Capacitance @ Frequency: 70pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 17.1V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No.

Інші пропозиції MMBZ18CA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBZ18CA MMBZ18CA Виробник : Diotec Semiconductor mmbz5v6ca.pdf ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 14.5V 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ18CA Виробник : Diotec Semiconductor mmbz5v6ca.pdf Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 70pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ18CA MMBZ18CA Виробник : Diotec Semiconductor mmbz5v6ca.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes ESD Diode, SOT-23, 150C, 40W, Bidir
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ18CA MMBZ18CA Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbz5v6ca.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 1.6A; 40W; double,common anode; Ch: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 70pF
Leakage current: 50nA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 1.6A
Max. off-state voltage: 14.5V
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.