
MMBZ18VALT1G ON Semiconductor
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ18VALT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 18V SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 17.1V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V.
Інші пропозиції MMBZ18VALT1G за ціною від 1.20 грн до 15.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 17.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 17.1V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 18.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 14.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 25V |
на замовлення 8883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 17.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V |
на замовлення 27151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 17.1V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 18.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 14.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 25V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 57776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |