
MMBZ33VALT1G ON Semiconductor
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ33VALT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Voltage - Breakdown (Min): 31.35V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V.
Інші пропозиції MMBZ33VALT1G за ціною від 1.54 грн до 14.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 31.35V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 31.35V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 34.65V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 26V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 46V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Tolerance: ±5% Semiconductor structure: common anode; double Version: ESD Peak pulse power dissipation: 40W Max. off-state voltage: 26V Max. forward impulse current: 0.87A Breakdown voltage: 33V Leakage current: 50nA |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 31.35V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V |
на замовлення 15596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Tolerance: ±5% Semiconductor structure: common anode; double Version: ESD Peak pulse power dissipation: 40W Max. off-state voltage: 26V Max. forward impulse current: 0.87A Breakdown voltage: 33V Leakage current: 50nA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 31.35V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 34.65V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 26V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 46V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 191438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MMBZ33VALT1G Код товару: 200057
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |