MMDT2227M-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT2227M-7 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 300 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.49 грн |
| 500+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMDT2227M-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT2227M-7 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 300 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMDT2227M-7 за ціною від 4.46 грн до 26.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMDT2227M-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN/PNP SOT-26 |
на замовлення 12382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMDT2227M-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT2227M-7 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 300 mW tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMDT2227M-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MMDT2227M-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMDT2227M-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMDT2227M-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40/60V; 0.6A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40/60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT26 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Kind of transistor: complementary pair Quantity in set/package: 3000pcs. |
товару немає в наявності |