MMDT3946FL3-7

MMDT3946FL3-7 Diodes Incorporated


MMDT3946FL3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 40V X2-DFN1310-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
на замовлення 1020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.47 грн
19+16.33 грн
100+10.26 грн
500+7.15 грн
1000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMDT3946FL3-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN/PNP 40V X2-DFN1310-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 370mW, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B).

Інші пропозиції MMDT3946FL3-7 за ціною від 9.14 грн до 37.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMDT3946FL3-7 Виробник : Diodes Incorporated MMDT3946FL3.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 351-360 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.25 грн
12+27.87 грн
100+13.79 грн
500+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT3946FL3-7 MMDT3946FL3-7 Виробник : Diodes Incorporated MMDT3946FL3.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V X2-DFN1310-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.