Продукція > DIODES ZETEX > MMDT5451-7-F
MMDT5451-7-F

MMDT5451-7-F Diodes Zetex

ds30171.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3831+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMDT5451-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMDT5451-7-F за ціною від 3.31 грн до 23.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Diodes Incorporated ds30171.pdf Description: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.02 грн
6000+4.36 грн
9000+4.12 грн
15000+3.61 грн
21000+3.46 грн
30000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Diodes Zetex ds30171.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
6000+5.84 грн
9000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Diodes Zetex ds30171.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
6000+5.84 грн
9000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F DIODES INCORPORATED ds30171.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 160/150V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 160/150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.49 грн
31+13.73 грн
100+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Diodes Incorporated ds30171.pdf Description: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 76705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.97 грн
22+14.00 грн
100+8.80 грн
500+6.12 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Diodes Incorporated ds30171.pdf Bipolar Transistors - BJT 160 / 160V 200mW
на замовлення 17001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0005424583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0005424583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F ds30171.pdf
MMDT5451-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.02 грн
6000+4.36 грн
9000+4.12 грн
15000+3.61 грн
21000+3.46 грн
30000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F ds30171.pdf
MMDT5451-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.46 грн
6000+5.84 грн
9000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F ds30171.pdf
MMDT5451-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.46 грн
6000+5.84 грн
9000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F ds30171.pdf
MMDT5451-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 160/150V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 160/150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.49 грн
31+13.73 грн
100+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F ds30171.pdf
MMDT5451-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 76705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.97 грн
22+14.00 грн
100+8.80 грн
500+6.12 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F ds30171.pdf
MMDT5451-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 160 / 160V 200mW
на замовлення 17001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F DIOD-S-A0005424583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMDT5451-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F DIOD-S-A0005424583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMDT5451-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.