Продукція > DIODES INC > MMDT5551-7-F
MMDT5551-7-F

MMDT5551-7-F Diodes Inc

mmdt5551.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMDT5551-7-F Diodes Inc

Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMDT5551-7-F за ціною від 2.85 грн до 32.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.76 грн
6000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.10 грн
6000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.66 грн
6000+3.46 грн
9000+3.42 грн
15000+3.27 грн
21000+2.99 грн
30000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.82 грн
6000+3.68 грн
9000+3.66 грн
15000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.06 грн
6000+3.70 грн
9000+3.67 грн
15000+3.50 грн
21000+3.21 грн
30000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30172.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.53 грн
6000+5.68 грн
9000+5.37 грн
15000+4.72 грн
21000+4.52 грн
30000+4.33 грн
75000+3.86 грн
150000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS10933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.39 грн
1000+6.27 грн
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED ds30172.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.35 грн
28+15.01 грн
50+10.01 грн
100+8.40 грн
500+5.78 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED ds30172.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.02 грн
17+18.70 грн
50+12.01 грн
100+10.08 грн
500+6.93 грн
1000+6.01 грн
3000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMDT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT 160V 200mW
на замовлення 22776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+29.70 грн
23+16.57 грн
100+9.20 грн
500+6.64 грн
1000+6.48 грн
3000+4.64 грн
6000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30172.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 202992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.30 грн
19+18.09 грн
100+11.36 грн
500+7.92 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : DIODES INC. ds30172.pdf Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 97529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+32.32 грн
50+19.40 грн
100+12.30 грн
500+7.87 грн
1500+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.