Продукція > DIODES INC > MMDT5551-7-F
MMDT5551-7-F

MMDT5551-7-F Diodes Inc

mmdt5551.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMDT5551-7-F Diodes Inc

Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMDT5551-7-F за ціною від 2.79 грн до 29.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.66 грн
6000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.99 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.54 грн
6000+3.38 грн
9000+3.35 грн
15000+3.20 грн
21000+2.93 грн
30000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.70 грн
6000+3.61 грн
9000+3.58 грн
15000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.94 грн
6000+3.62 грн
9000+3.59 грн
15000+3.43 грн
21000+3.14 грн
30000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30172.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.32 грн
6000+5.50 грн
9000+5.20 грн
15000+4.56 грн
21000+4.38 грн
30000+4.19 грн
75000+3.73 грн
150000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS10933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.15 грн
1000+6.07 грн
5000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED ds30172.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Case: SOT363
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.59 грн
28+14.52 грн
50+9.68 грн
100+8.12 грн
500+5.59 грн
1000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED ds30172.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Case: SOT363
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.11 грн
17+18.10 грн
50+11.62 грн
100+9.75 грн
500+6.71 грн
1000+5.82 грн
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : DIODES INC. ds30172.pdf Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 101454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.80 грн
51+17.12 грн
100+10.77 грн
500+6.87 грн
1000+5.58 грн
5000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMDT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT 160V 200mW
на замовлення 22776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.73 грн
23+16.03 грн
100+8.91 грн
500+6.43 грн
1000+6.27 грн
3000+4.49 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30172.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 202992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.32 грн
19+17.51 грн
100+11.00 грн
500+7.67 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.