Продукція > DIODES ZETEX > MMDT5551-7-F
MMDT5551-7-F

MMDT5551-7-F Diodes Zetex

mmdt5551.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.30 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMDT5551-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMDT5551-7-F за ціною від 3.17 грн до 21.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.30 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.05 грн
6000+3.83 грн
9000+3.80 грн
15000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.30 грн
6000+3.85 грн
9000+3.81 грн
15000+3.64 грн
21000+3.33 грн
30000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.30 грн
6000+3.85 грн
9000+3.81 грн
15000+3.64 грн
21000+3.33 грн
30000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F DIODES INCORPORATED Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.38 грн
25+16.55 грн
29+14.64 грн
50+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Incorporated MMDT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT 160V 200mW
на замовлення 34556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F DIODES INC. Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 97529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F DIODES INC. DIODS10933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F DIODES/ZETEX Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C; MMDT5551-7-F TMMDT5551-7-F Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F mmdt5551.pdf
MMDT5551-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.30 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F mmdt5551.pdf
MMDT5551-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.05 грн
6000+3.83 грн
9000+3.80 грн
15000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F mmdt5551.pdf
MMDT5551-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.30 грн
6000+3.85 грн
9000+3.81 грн
15000+3.64 грн
21000+3.33 грн
30000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F mmdt5551.pdf
MMDT5551-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.30 грн
6000+3.85 грн
9000+3.81 грн
15000+3.64 грн
21000+3.33 грн
30000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F mmdt5551.pdf
MMDT5551-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F
MMDT5551-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.38 грн
25+16.55 грн
29+14.64 грн
50+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F MMDT5551.pdf
MMDT5551-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 160V 200mW
на замовлення 34556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F
MMDT5551-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 97529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F mmdt5551.pdf
MMDT5551-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F DIODS10933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMDT5551-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-F
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C; MMDT5551-7-F TMMDT5551-7-F Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.