MMDTA06-7 Diodes Incorporated


MMDTA06.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 900mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 163MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
на замовлення 1032000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.61 грн
6000+9.34 грн
9000+8.89 грн
15000+7.86 грн
21000+7.58 грн
30000+7.31 грн
75000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMDTA06-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 900mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMDTA06-7 за ціною від 11.24 грн до 46.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMDTA06-7 MMDTA06-7 Diodes Incorporated MMDTA06.pdf Description: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 163MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 900mW
на замовлення 1036436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.39 грн
11+27.55 грн
100+17.63 грн
500+12.53 грн
1000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7 MMDTA06-7 Diodes Incorporated MMDTA06.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf TRANS
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7 MMDTA06-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001069660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7 MMDTA06-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001069660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7 MMDTA06.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 163MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 900mW
на замовлення 1036436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.39 грн
11+27.55 грн
100+17.63 грн
500+12.53 грн
1000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7 MMDTA06.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf TRANS
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7 DIOD-S-A0001069660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7 DIOD-S-A0001069660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.