MMFTN210A Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.60 грн |
| 38+ | 7.89 грн |
| 100+ | 5.31 грн |
| 500+ | 3.79 грн |
| 1000+ | 3.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
27 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMFTN210A Diotec Semiconductor
Description: MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 50 V.
Інші пропозиції MMFTN210A за ціною від 2.37 грн до 20.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMFTN210A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 7.2A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Pulsed drain current: 7.2A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| MMFTN210A |
|
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 7.2A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 7.2A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 20.46 грн |
| 29+ | 14.57 грн |
| 34+ | 12.47 грн |
| 100+ | 6.99 грн |
| 378+ | 2.51 грн |
| 1038+ | 2.37 грн |