Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > MMFTN210A
MMFTN210A

MMFTN210A Diotec Semiconductor

mmftn210a.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 50 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.36 грн
38+8.41 грн
100+5.66 грн
500+4.05 грн
1000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMFTN210A Diotec Semiconductor

Description: MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 50 V.

Інші пропозиції MMFTN210A за ціною від 2.28 грн до 15.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMFTN210A MMFTN210A Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmftn210a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 7.2A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.82 грн
40+10.16 грн
45+8.97 грн
100+5.80 грн
388+2.40 грн
1065+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMFTN210A MMFTN210A Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmftn210a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 7.2A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.38 грн
24+12.66 грн
27+10.76 грн
100+6.96 грн
388+2.89 грн
1065+2.73 грн
9000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMFTN210A MMFTN210A Виробник : Diotec Semiconductor mmftn210a.pdf Description: MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.