
MMFTN2362 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET SOT23 N 60V 0.08OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Power Dissipation (Max): 1.25W
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMFTN2362 Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 8.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MMFTN2362
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMFTN2362 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MMFTN2362 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Power Dissipation (Max): 1.25W Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MMFTN2362 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MMFTN2362 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |