MMFTN6001 Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.3 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.64 грн |
| 6000+ | 1.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMFTN6001 Diotec Semiconductor
Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.3 pF @ 25 V.
Інші пропозиції MMFTN6001 за ціною від 0.99 грн до 9.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMFTN6001 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 440mA; Idm: 1A; 530mW; SOT23 Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.44A Power dissipation: 0.53W Pulsed drain current: 1A On-state resistance: 2.6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 42823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMFTN6001 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.3 pF @ 25 V |
на замовлення 6845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMFTN6001 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 440mA; Idm: 1A; 530mW; SOT23 Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.44A Power dissipation: 0.53W Pulsed drain current: 1A On-state resistance: 2.6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42823 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMFTN6001 | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.44A, 150C, N |
товару немає в наявності |