MMFTN6001

MMFTN6001 Diotec Semiconductor


mmftn6001.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.3 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.56 грн
6000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMFTN6001 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.3 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MMFTN6001 за ціною від 2.31 грн до 9.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMFTN6001 MMFTN6001 Виробник : Diotec Semiconductor mmftn6001.pdf Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.3 pF @ 25 V
на замовлення 6845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.61 грн
52+5.80 грн
100+3.65 грн
500+2.48 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMFTN6001 MMFTN6001 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmftn6001.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 440mA; Idm: 1A; 530mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.44A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.01 грн
76+5.52 грн
125+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMFTN6001 MMFTN6001 Виробник : Diotec Semiconductor mmftn6001-2891921.pdf MOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.44A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.