MMFTN6190KDW Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMFTN6190KDW Diotec Semiconductor
Description: IC, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції MMFTN6190KDW
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMFTN6190KDW | Diotec Semiconductor |
MOSFET MOSFET, SOT-363, 30V, 1A, 150C, N |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MMFTN6190KDW | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 9.6A; 0.4W; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT363 Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Power dissipation: 0.4W On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 1A Pulsed drain current: 9.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMFTN6190KDW |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFET MOSFET, SOT-363, 30V, 1A, 150C, N
MOSFET MOSFET, SOT-363, 30V, 1A, 150C, N
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MMFTN6190KDW |
|
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 9.6A; 0.4W; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.4W
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 9.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 9.6A; 0.4W; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.4W
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 9.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.