MMFTP2301-AQ DIOTEC
Виробник: DIOTECDescription: DIOTEC - MMFTP2301-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 15.35 грн |
| 77+ | 11.09 грн |
| 100+ | 9.89 грн |
| 500+ | 7.61 грн |
| 1000+ | 6.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMFTP2301-AQ DIOTEC
Description: DIOTEC - MMFTP2301-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MMFTP2301-AQ за ціною від 3.86 грн до 20.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMFTP2301-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MMFTP2301-AQ Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMFTP2301-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs SOT-23, P, -20V, -2.8A, 0.1?, 150C, AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| MMFTP2301-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -10A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 4.4nC On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 1.25W Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Drain current: -2.8A Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |