Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > MMFTP2301-AQ
MMFTP2301-AQ

MMFTP2301-AQ Diotec Semiconductor

mmftp2301.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MMFTP2301-AQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMFTP2301-AQ Diotec Semiconductor

Description: MMFTP2301-AQ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MMFTP2301-AQ за ціною від 2.99 грн до 15.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMFTP2301-AQ MMFTP2301-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmftp2301.pdf Description: MMFTP2301-AQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.40 грн
60+5.42 грн
69+4.72 грн
100+3.73 грн
250+3.40 грн
500+3.20 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMFTP2301-AQ MMFTP2301-AQ Виробник : DIOTEC mmftp2301.pdf Description: DIOTEC - MMFTP2301-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.68 грн
77+11.32 грн
100+10.10 грн
500+7.77 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMFTP2301-AQ MMFTP2301-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmftp2301.pdf MOSFETs SOT-23, P, -20V, -2.8A, 0.1?, 150C, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMFTP2301-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmftp2301.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.