MMFTP2301 DIOTEC
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - MMFTP2301 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMFTP2301 DIOTEC
Description: DIOTEC - MMFTP2301 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MMFTP2301
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMFTP2301 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO-236-3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MMFTP2301 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs SOT-23, P, -20V, -2.8A, 0.1?, 150C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MMFTP2301 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MMFTP2301 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO-236-3
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO-236-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MMFTP2301 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs SOT-23, P, -20V, -2.8A, 0.1?, 150C
MOSFETs SOT-23, P, -20V, -2.8A, 0.1?, 150C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MMFTP2301 |
|
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.