MMFTP2307A

MMFTP2307A Diotec Semiconductor


mmftp2307a.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MMFTP2307A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMFTP2307A Diotec Semiconductor

Description: MMFTP2307A, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V.

Інші пропозиції MMFTP2307A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMFTP2307A MMFTP2307A Виробник : Diotec Semiconductor mmftp2307a.pdf MOSFETs SOT-23, P, -20V, -6A, 29m?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMFTP2307A Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB6AF5C5FBEDBC0D8&compId=mmftp2307a.pdf?ci_sign=3cd9705d6a15cff82a24d2c3b21300642b2d1924 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -24A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 28.5nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.