MMFTP2319 Diotec Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMFTP2319 Diotec Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.2A; Idm: -30A; 0.75W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -40V, Drain current: -4.2A, Pulsed drain current: -30A, Power dissipation: 0.75W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 20nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції MMFTP2319 за ціною від 3.75 грн до 28.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMFTP2319 | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 40V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMFTP2319 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET SOT23 -40V -4.2A 0.08OHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Power Dissipation (Max): 750mW Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMFTP2319 | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P |
на замовлення 5223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMFTP2319 | Виробник : Diotec Semiconductor |
SOT-23 TO-236 P-Channel Enhancement Mode FET |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMFTP2319 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.2A; Idm: -30A; 0.75W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.2A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 0.75W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMFTP2319 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET SOT23 -40V -4.2A 0.08OHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Power Dissipation (Max): 750mW Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMFTP2319 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.2A; Idm: -30A; 0.75W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.2A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 0.75W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |