MMFTP5618 Diotec Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.10 грн |
| 17+ | 19.67 грн |
| 100+ | 11.54 грн |
| 500+ | 8.97 грн |
| 1000+ | 8.14 грн |
| 3000+ | 6.95 грн |
| 6000+ | 6.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMFTP5618 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMFTP5618 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMFTP5618 за ціною від 9.31 грн до 43.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMFTP5618 | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Description: MOSFET, SOT-23, -60V, -1.25A, 0,Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 361 pF @ 30 V |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MMFTP5618 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMFTP5618 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) |
на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMFTP5618 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, SOT-23, -60V, -1.25A, 0, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 361 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |