Продукція > IXYS > MMIX1F132N50P3
MMIX1F132N50P3
  • MMIX1F132N50P3
  • MMIX1F132N50P3

MMIX1F132N50P3 IXYS


littelfuse-discrete-mosfets-mmix1f132n50p3-datasheet?assetguid=78cb4333-d3a9-496a-a626-6ed7394c5316 Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 520W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3536.40 грн
3+2903.91 грн
10+2607.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1F132N50P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MMIX1F132N50P3 за ціною від 3129.27 грн до 4243.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMIX1F132N50P3
+1
MMIX1F132N50P3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-mmix1f132n50p3-datasheet?assetguid=78cb4333-d3a9-496a-a626-6ed7394c5316 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 520W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4243.68 грн
3+3618.72 грн
10+3129.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F132N50P3 MMIX1F132N50P3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-mmix1f132n50p3-datasheet?assetguid=78cb4333-d3a9-496a-a626-6ed7394c5316 Description: MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F132N50P3 MMIX1F132N50P3 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_SMPD_Packages_MMIX1F132N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.