Продукція > IXYS > MMIX1F160N30T
MMIX1F160N30T

MMIX1F160N30T IXYS


238_SMPD20MOSFET20and20IGBTsProduct20Brief01.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 570W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 367nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2682.29 грн
10+2394.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1F160N30T IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 570W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MMIX1F160N30T за ціною від 2984.38 грн до 3218.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMIX1F160N30T MMIX1F160N30T Виробник : IXYS 238_SMPD20MOSFET20and20IGBTsProduct20Brief01.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 570W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 367nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3218.74 грн
10+2984.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F160N30T MMIX1F160N30T Виробник : Littelfuse screte_mosfets_smpd_packages_mmix1f160n30t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 102A 21-Pin SMPD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F160N30T MMIX1F160N30T Виробник : IXYS 238_SMPD20MOSFET20and20IGBTsProduct20Brief01.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F160N30T MMIX1F160N30T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_SMPD_Packages_MMIX1F160N30T_Datasheet.PDF MOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.