Продукція > IXYS > MMIX1F210N30P3
MMIX1F210N30P3
  • MMIX1F210N30P3
  • MMIX1F210N30P3

MMIX1F210N30P3 IXYS


media?resourcetype=datasheets&itemid=670ef26e-24b2-4f5e-8ee0-56c3d653d777&filename=littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2690.03 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1F210N30P3 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 108A, Pulsed drain current: 550A, Power dissipation: 520W, Case: SMPD, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 268nC, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 250ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MMIX1F210N30P3 за ціною від 3035.65 грн до 3228.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMIX1F210N30P3
+1
MMIX1F210N30P3 Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=670ef26e-24b2-4f5e-8ee0-56c3d653d777&filename=littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3228.04 грн
MMIX1F210N30P3 Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=670ef26e-24b2-4f5e-8ee0-56c3d653d777&filename=littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 108A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+3035.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
MMIX1F210N30P3 Виробник : Littelfuse crete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 108A 21-Pin SMPD-X
товар відсутній
MMIX1F210N30P3 Виробник : IXYS media-3320970.pdf Discrete Semiconductor Modules MSFT SMPD PKG-HIPERFET MSF
товар відсутній