MMIX1F210N30P3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2690.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMIX1F210N30P3 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 108A, Pulsed drain current: 550A, Power dissipation: 520W, Case: SMPD, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 268nC, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 250ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MMIX1F210N30P3 за ціною від 3035.65 грн до 3228.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
+1 |
MMIX1F210N30P3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 108A Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 520W Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 268nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||
MMIX1F210N30P3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 108A 24SMPD Packaging: Tube Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: 24-SMPD Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
MMIX1F210N30P3 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 108A 21-Pin SMPD-X |
товар відсутній |
||||||
MMIX1F210N30P3 | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules MSFT SMPD PKG-HIPERFET MSF |
товар відсутній |