Продукція > IXYS > MMIX1F210N30P3
MMIX1F210N30P3
  • MMIX1F210N30P3
  • MMIX1F210N30P3

MMIX1F210N30P3 IXYS


media?resourcetype=datasheets&itemid=670ef26e-24b2-4f5e-8ee0-56c3d653d777&filename=littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 108A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 520W
Pulsed drain current: 550A
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Case: SMPD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3518.36 грн
3+2885.36 грн
10+2594.23 грн
20+2591.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1F210N30P3 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Reverse recovery time: 250ns, Gate charge: 268nC, On-state resistance: 16mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 108A, Drain-source voltage: 300V, Power dissipation: 520W, Pulsed drain current: 550A, Kind of channel: enhancement, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Case: SMPD, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MMIX1F210N30P3 за ціною від 3109.20 грн до 4222.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMIX1F210N30P3
+1
MMIX1F210N30P3 Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=670ef26e-24b2-4f5e-8ee0-56c3d653d777&filename=littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 108A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 520W
Pulsed drain current: 550A
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Case: SMPD
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4222.04 грн
3+3595.60 грн
10+3113.08 грн
20+3109.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F210N30P3 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_SMPD_Packages_MMIX1F210N30P3_Datasheet.PDF MOSFET Modules SMPD 300V 108A N-CH POLAR3
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4218.83 грн
10+3459.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F210N30P3 Виробник : Littelfuse crete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 108A 21-Pin SMPD-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F210N30P3 Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=670ef26e-24b2-4f5e-8ee0-56c3d653d777&filename=littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 108A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.