Продукція > LITTELFUSE > MMIX1F360N15T2

MMIX1F360N15T2 Littelfuse

Name: MMIX1F360N15T2
Brand: IXYS
SKU: 148066-4
Price: 848940 UAH
Availability: BackOrder

littelfuse_smpd_packages_product_flyer.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 235A 21-Pin SMPD-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MMIX1F360N15T2 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 150V 235A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 680W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MMIX1F360N15T2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MMIX1F360N15T2	Виробник : IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 235A; Idm: 900A Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 235A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 680W Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 715nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MMIX1F360N15T2	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 150V 235A 24SMPD Packaging: Tube Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 680W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: 24-SMPD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MMIX1F360N15T2	Виробник : IXYS	MOSFETs SMPD MOSFETs Power Device	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MMIX1F360N15T2	Виробник : IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 235A; Idm: 900A Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 235A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 680W Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 715nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.