MMIX1F40N110P IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3439.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMIX1F40N110P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.1kV, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 500W, Case: SMPD, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 310nC, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 300ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MMIX1F40N110P за ціною від 4127.26 грн до 4127.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMIX1F40N110P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.1kV Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 500W Case: SMPD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 310nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||
MMIX1F40N110P | Виробник : IXYS | Description: MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD |
товар відсутній |
||||||
MMIX1F40N110P | Виробник : IXYS | MOSFET SMPD MOSFETs Power Device |
товар відсутній |