Продукція > IXYS > MMIX1F44N100Q3
MMIX1F44N100Q3
  • MMIX1F44N100Q3
  • MMIX1F44N100Q3

MMIX1F44N100Q3 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f44n100q3_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 30A; Idm: 110A; 694W
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 300ns
Case: SMPD
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Pulsed drain current: 110A
Gate charge: 264nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 245mΩ
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3025.33 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1F44N100Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 30A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MMIX1F44N100Q3 за ціною від 3630.4 грн до 3630.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMIX1F44N100Q3
+1
MMIX1F44N100Q3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f44n100q3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 30A; Idm: 110A; 694W
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 300ns
Case: SMPD
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Pulsed drain current: 110A
Gate charge: 264nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 245mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3630.4 грн
MMIX1F44N100Q3 MMIX1F44N100Q3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f44n100q3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 30A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товар відсутній
MMIX1F44N100Q3 MMIX1F44N100Q3 Виробник : IXYS ixyss06319_1-2272324.pdf MOSFET HiperFET Pwr MOSFET Q3-Class
товар відсутній