Продукція > IXYS > MMIX1T550N055T2
MMIX1T550N055T2
  • MMIX1T550N055T2
  • MMIX1T550N055T2

MMIX1T550N055T2 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t550n055t2_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 2kA
Power dissipation: 830W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2784.36 грн
10+2489.43 грн
20+2486.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1T550N055T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 550A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MMIX1T550N055T2 за ціною від 2983.50 грн до 3699.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMIX1T550N055T2
+1
 		MMIX1T550N055T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t550n055t2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 2kA
Power dissipation: 830W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3341.23 грн
10+3102.21 грн
20+2983.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T550N055T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t550n055t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 550A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3699.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T550N055T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 550A 21-Pin SMPD-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T550N055T2 MMIX1T550N055T2 Виробник : IXYS media-3320379.pdf MOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.