MMIX1T600N04T2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 590nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 2kA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2847.93 грн |
| 3+ | 2338.91 грн |
| 10+ | 2101.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMIX1T600N04T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції MMIX1T600N04T2 за ціною від 1693.44 грн до 3016.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMIX1T600N04T2 | IXYS |
MOSFETs 40V 600A |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| MMIX1T600N04T2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 40V 600A
MOSFETs 40V 600A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3016.03 грн |
| 10+ | 2535.41 грн |
| 20+ | 1693.44 грн |