Продукція > IXYS > MMIX1T600N04T2
MMIX1T600N04T2
  • MMIX1T600N04T2
  • MMIX1T600N04T2

MMIX1T600N04T2 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t600n04t2_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 590nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 2kA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2324.85 грн
2+2041.37 грн
20+1982.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1T600N04T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MMIX1T600N04T2 за ціною від 1834.05 грн до 3266.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMIX1T600N04T2
+1
 		MMIX1T600N04T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t600n04t2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 590nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 2kA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2789.83 грн
2+2543.86 грн
20+2379.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T600N04T2 MMIX1T600N04T2 Виробник : IXYS media-3322311.pdf MOSFETs 40V 600A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3266.45 грн
10+2745.93 грн
20+1834.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T600N04T2 MMIX1T600N04T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t600n04t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.