MMIX1T600N04T2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 590nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 2kA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2847.93 грн |
| 3+ | 2338.91 грн |
| 10+ | 2101.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMIX1T600N04T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції MMIX1T600N04T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MMIX1T600N04T2 |
N-CH MOSFET, 40V, 600A, SMPD-24 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
MMIX1T600N04T2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD Packaging: Tube Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 24-SMPD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MMIX1T600N04T2 | IXYS |
MOSFETs 40V 600A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMIX1T600N04T2 |
|
N-CH MOSFET, 40V, 600A, SMPD-24 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MMIX1T600N04T2 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MMIX1T600N04T2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 40V 600A
MOSFETs 40V 600A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.