Продукція > IXYS > MMIX1T600N04T2
MMIX1T600N04T2
  • MMIX1T600N04T2
  • MMIX1T600N04T2

MMIX1T600N04T2 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t600n04t2_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Mounting: SMD
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 590nC
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2kA
Case: SMPD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2002.25 грн
2+ 1757.52 грн
20+ 1729.15 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1T600N04T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MMIX1T600N04T2 за ціною від 2074.98 грн до 2516.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMIX1T600N04T2
+1
 		MMIX1T600N04T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t600n04t2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Mounting: SMD
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 590nC
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2kA
Case: SMPD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2402.7 грн
2+ 2190.14 грн
20+ 2074.98 грн
MMIX1T600N04T2 MMIX1T600N04T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t600n04t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2516.36 грн
20+ 2153.72 грн
MMIX1T600N04T2 MMIX1T600N04T2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_SMPD_Packages_MMIX1T60-1856548.pdf MOSFET 40V 600A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)