Продукція > IXYS > MMIX1X100N60B3H1

MMIX1X100N60B3H1 IXYS


media?resourcetype=datasheets&itemid=BE8BC4F5-FDD7-45EF-8508-7650D8EA9614&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-SMPD-Packages-MMIX1X100N60B3H1-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 145A 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: 24-SMPD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1X100N60B3H1 IXYS

Description: IGBT 600V 145A 24-SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: 24-SMPD, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns, Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off), Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 143 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 145 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A, Power - Max: 400 W.

Інші пропозиції MMIX1X100N60B3H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMIX1X100N60B3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_SMPD_Packages_MMIX1X100N60B3H1_Datasheet.PDF IGBTs Disc IGBT SMPD Pkg-Standard SMPD-B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X100N60B3H1 IXYS MMIX1X100N60B3H1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 68A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 68A
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 440A
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92s
Turn-off time: 350ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X100N60B3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_SMPD_Packages_MMIX1X100N60B3H1_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT SMPD Pkg-Standard SMPD-B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X100N60B3H1 MMIX1X100N60B3H1.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 68A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 68A
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 440A
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92s
Turn-off time: 350ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.