Продукція > IXYS > MMIX1X340N65B4

MMIX1X340N65B4 IXYS

DS100598A(MMIX1X340N65B4).pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1X340N65B4 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1.2kW; SMPD, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 1.2kW, Case: SMPD, Mounting: SMD, Gate charge: 553nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 119ns, Turn-off time: 346ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 295A, Collector-emitter voltage: 650V, Pulsed collector current: 1.2kA, Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™.

Інші пропозиції MMIX1X340N65B4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMIX1X340N65B4 MMIX1X340N65B4 Виробник : Littelfuse media.pdf High Performance 650V IGBT Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X340N65B4 MMIX1X340N65B4 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_SMPD_Packages_MMIX1X340N65B4_Datasheet.PDF IGBTs SMPD 650V 295A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X340N65B4 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA78862F0E7820&compId=MMIX1X340N65B4.pdf?ci_sign=d2491b7f4fdece1fa3ddaa0a18602d4894132816 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1.2kW; SMPD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.2kW
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 553nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 119ns
Turn-off time: 346ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 295A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.