Технічний опис MMRF1006HSR5 NXP Semiconductors
Description: FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230S-4, Frequency: 450MHz, Power - Output: 1000W, Gain: 20dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230S-4, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 120 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції MMRF1006HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1006HSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230S-4 Frequency: 450MHz Power - Output: 1000W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA |
товару немає в наявності |
||
| MMRF1006HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V |
товару немає в наявності |