MMRF1007HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4H
Frequency: 1.03GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 20dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 150 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1007HR5 NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4H, Frequency: 1.03GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 20dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції MMRF1007HR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1007HR5 | NXP / Freescale |
 RF MOSFET Transistors MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF1007HR5 |
|
Виробник: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
RF MOSFET Transistors MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.