Технічний опис MMRF1009HR5 NXP Semiconductors
Description: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.03GHz, Power - Output: 500W, Gain: 19.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Part Status: Last Time Buy, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 200 mA.
Інші пропозиції MMRF1009HR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMRF1009HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780SPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 500W Gain: 19.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA |
товару немає в наявності |
|
|
|
MMRF1009HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 500W Gain: 19.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA |
товару немає в наявності |
|
| MMRF1009HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V |
товару немає в наявності |