MMRF1011HR5 NXP Semiconductors


975207853533857mmrf1011h.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF Power LDMOS Transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+66547.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMRF1011HR5 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Current - Test: 150 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 100 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 18dB, Power - Output: 330W, Frequency: 1.4GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MMRF1011HR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMRF1011HR5 MMRF1011HR5 NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 18dB
Power - Output: 330W
Frequency: 1.4GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMRF1011HR5 NXP Semiconductors MMRF1011H-1126989.pdf RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMRF1011HR5
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 18dB
Power - Output: 330W
Frequency: 1.4GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMRF1011HR5 MMRF1011H-1126989.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.