MMRF1011HR5

MMRF1011HR5 NXP Semiconductors


975207853533857mmrf1011h.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF Power LDMOS Transistors
на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+55040.63 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMRF1011HR5 NXP Semiconductors

Description: FET RF 100V 1.4GHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.4GHz, Power - Output: 330W, Gain: 18dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 150 mA.

Інші пропозиції MMRF1011HR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMRF1011HR5 MMRF1011HR5 Виробник : NXP USA Inc. Description: FET RF 100V 1.4GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-957A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.4GHz
Power - Output: 330W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 150 mA
товар відсутній
MMRF1011HR5 Виробник : NXP Semiconductors MMRF1011H-1126989.pdf RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V
товар відсутній