MMRF1011HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 18dB
Power - Output: 330W
Frequency: 1.4GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1011HR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Current - Test: 150 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 100 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 18dB, Power - Output: 330W, Frequency: 1.4GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MMRF1011HR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1011HR5 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF1011HR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V
RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.