на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 36077.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1011HSR5 NXP Semiconductors
Description: FET RF 100V 1.4GHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.4GHz, Power - Output: 330W, Gain: 18dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції MMRF1011HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMRF1011HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF Power LDMOS Transistors |
товар відсутній |
|
 |
MMRF1011HSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 100V 1.4GHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.4GHz Power - Output: 330W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA |
товар відсутній |
|
| MMRF1011HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V |
товар відсутній |