MMRF1011HSR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.4GHz
Power - Output: 330W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 150 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1011HSR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.4GHz, Power - Output: 330W, Gain: 18dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції MMRF1011HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1011HSR5 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF1011HSR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V
RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.